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A procura persistente por parte da indústria de electrónica de consumo de pequena e baixa potência motiva-nos a procurar novas formas de melhorar o design. Com numerosas tecnologias disponíveis e futuras para o fabrico de dispositivos semicondutores, a selecção de tecnologia que pode ser designada como o futuro da indústria requer a sua ponderação face a vários requisitos, restrições e parâmetros. São apresentados alguns Novos Circuitos de Alta Velocidade de Baixa Potência utilizando Transistor de Efeito de Nanotubo de Carbono para Aplicações em Tempo Real, Tolerante de Falha, e de Missão Crítica.…mehr

Produktbeschreibung
A procura persistente por parte da indústria de electrónica de consumo de pequena e baixa potência motiva-nos a procurar novas formas de melhorar o design. Com numerosas tecnologias disponíveis e futuras para o fabrico de dispositivos semicondutores, a selecção de tecnologia que pode ser designada como o futuro da indústria requer a sua ponderação face a vários requisitos, restrições e parâmetros. São apresentados alguns Novos Circuitos de Alta Velocidade de Baixa Potência utilizando Transistor de Efeito de Nanotubo de Carbono para Aplicações em Tempo Real, Tolerante de Falha, e de Missão Crítica.
Autorenporträt
Il dottor Jitendra Kumar Saini è nato a Jaipur, Rajasthan, India. Ha ricevuto il suo B.E., M.Tech. e Ph.D. in ECE dal Birla Institute of Technology Mesra; Malviya National Institute of Technology Jaipur & Manipal University Jaipur. Attualmente è professore associato nel dipartimento ECE presso il Vignans Lara Institute of Technology & Science.