Andere Kunden interessierten sich auch für
![Powyshenie proizwoditel'nosti SRAM FINFET s ispol'zowaniem razlichnyh materialow zatwora]( "Powyshenie proizwoditel'nosti SRAM FINFET s ispol'zowaniem razlichnyh materialow zatwora")
Powyshenie proizwoditel'nosti SRAM FINFET s ispol'zowaniem razlichnyh materialow zatwora23,99 €![Performance Enhancement of SRAM FINFET using different Gate materials]( "Performance Enhancement of SRAM FINFET using different Gate materials")
Performance Enhancement of SRAM FINFET using different Gate materials23,99 €![Melhoria do desempenho da SRAM FINFET utilizando diferentes materiais de porta]( "Melhoria do desempenho da SRAM FINFET utilizando diferentes materiais de porta")
Melhoria do desempenho da SRAM FINFET utilizando diferentes materiais de porta23,99 €![Leistungsverbesserung von SRAM FINFET mit verschiedenen Gate-Materialien]( "Leistungsverbesserung von SRAM FINFET mit verschiedenen Gate-Materialien")
Leistungsverbesserung von SRAM FINFET mit verschiedenen Gate-Materialien35,90 €![Miglioramento delle prestazioni delle SRAM FINFET utilizzando diversi materiali per i gate]( "Miglioramento delle prestazioni delle SRAM FINFET utilizzando diversi materiali per i gate")
Miglioramento delle prestazioni delle SRAM FINFET utilizzando diversi materiali per i gate23,99 €![Amélioration des performances des OLED par variation du dopage et de l'épaisseur]( "Amélioration des performances des OLED par variation du dopage et de l'épaisseur")
Amélioration des performances des OLED par variation du dopage et de l'épaisseur36,99 €![Évaluation des performances des réseaux locaux sans fil à l'aide de VST]( "Évaluation des performances des réseaux locaux sans fil à l'aide de VST")
Évaluation des performances des réseaux locaux sans fil à l'aide de VST26,99 €
Ce livre décrit le concept de conception des SRAM dans les technologies FinFET en utilisant les caractéristiques uniques des dispositifs non planaires à double grille. L'espace des paramètres nécessaires à la conception des FinFET sera exploré. Diverses techniques de conception de SRAM seront présentées en exploitant les avantages des configurations contrôlées par des portes liées et des portes indépendantes. Les performances, la puissance et la stabilité des SRAM pour les dispositifs FinFET sont comparées à celles des dispositifs CMOS planaires conventionnels. La modélisation de la variabilité des FinFET par le biais de statistiques sera également présentée. Le dispositif MOSFET a été comparé avec le poly-silicium et le molybdène comme matériau de grille et le dispositif FinFET a été conçu avec différents matériaux de grille comme l'or, le tungstène, le tantale et le molybdène et les résultats ont été comparés avec les dispositifs à matériau de grille en poly-silicium.