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Ce livre décrit le concept de conception des SRAM dans les technologies FinFET en utilisant les caractéristiques uniques des dispositifs non planaires à double grille. L'espace des paramètres nécessaires à la conception des FinFET sera exploré. Diverses techniques de conception de SRAM seront présentées en exploitant les avantages des configurations contrôlées par des portes liées et des portes indépendantes. Les performances, la puissance et la stabilité des SRAM pour les dispositifs FinFET sont comparées à celles des dispositifs CMOS planaires conventionnels. La modélisation de la variabilité des FinFET par le biais de statistiques sera également présentée. Le dispositif MOSFET a été comparé avec le poly-silicium et le molybdène comme matériau de grille et le dispositif FinFET a été conçu avec différents matériaux de grille comme l'or, le tungstène, le tantale et le molybdène et les résultats ont été comparés avec les dispositifs à matériau de grille en poly-silicium.
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