Analisi delle celle SRAM per la riduzione del consumo di energia con tecniche a basso consumo - Rukkumani, V.
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Sono stati calcolati e confrontati il progetto, la potenza totale, la potenza statica, la potenza dinamica, il tempo transitorio, il ritardo transitorio e la corrente statica delle celle SRAM 8T e 10T. La SRAM a 8T ha il minor numero di transistor e la minore efficienza di area, ma la velocità di funzionamento è leggermente ridotta. Inoltre, l'aumento del numero di transistor nella cella SRAM 10T rende l'area e il ritardo grandi a temperatura ambiente. Quando la temperatura aumenta a partire da un determinato valore, la cella SRAM 10T si comporta meglio della cella SRAM 8T. Ciò giustifica…mehr

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Produktbeschreibung
Sono stati calcolati e confrontati il progetto, la potenza totale, la potenza statica, la potenza dinamica, il tempo transitorio, il ritardo transitorio e la corrente statica delle celle SRAM 8T e 10T. La SRAM a 8T ha il minor numero di transistor e la minore efficienza di area, ma la velocità di funzionamento è leggermente ridotta. Inoltre, l'aumento del numero di transistor nella cella SRAM 10T rende l'area e il ritardo grandi a temperatura ambiente. Quando la temperatura aumenta a partire da un determinato valore, la cella SRAM 10T si comporta meglio della cella SRAM 8T. Ciò giustifica l'uso della cella SRAM 10T per applicazioni a bassa potenza con condizioni di temperatura variabili. Il progetto di memoria SRAM proposto può essere implementato in qualsiasi circuito digitale.
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Autorenporträt
Dr.V.Rukkumani-Assistenzprofessor,Dr.K.Srinivasan,Professor und Leiter,Sri Ramakrishna Engineering College,Coimbatore Dr.N.Devarajan, Dekan, Sri Ramakrishna Institute of Technology,Coimbatore,Tamilnadu, Indien.