Analisi delle prestazioni di diversestrutturedi celle DRAM basate su CMOS
Struttura della cella DRAM
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Le memorie dinamiche ad accesso casuale (DRAM) sono ampiamente utilizzate in tutti i tipi didispositivielettronicigrazie al loro basso costo e alla velocità di funzionamento. Oltre alle sue estese applicazioni, laproduzione dimassadelle DRAM di solito segna la maturità della corrispondentetecnologia deisemiconduttoriche è continuamente spinta verso dimensioni più piccole e un alto rendimento dalle esigenze del mercatoe dalla concorrenza. In generale, la produzione di massa di una nuova generazione di DRAM èsolitamente considerata come la pietra miliare di una nuova era della tecnologia de...
Le memorie dinamiche ad accesso casuale (DRAM) sono ampiamente utilizzate in tutti i tipi didispositivielettronicigrazie al loro basso costo e alla velocità di funzionamento. Oltre alle sue estese applicazioni, laproduzione dimassadelle DRAM di solito segna la maturità della corrispondentetecnologia deisemiconduttoriche è continuamente spinta verso dimensioni più piccole e un alto rendimento dalle esigenze del mercatoe dalla concorrenza. In generale, la produzione di massa di una nuova generazione di DRAM èsolitamente considerata come la pietra miliare di una nuova era della tecnologia dei semiconduttori. Come implica iltermine 'DRAM', è un tipo di memoria volatile, cioè i dati immagazzinati devono essere 'dinamicamente' rinfrescatiper garantire il corretto funzionamento della memoria; ogni bit nella DRAM può essere accessibile 'a caso' rispetto a un registratore a nastro convenzionale.
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