Analiz qcheek SRAM dlq snizheniq änergopotrebleniq s pomosch'ü tehnologij nizkogo änergopotrebleniq - Rukkumani, V.
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Rasschitany i srawneny konstrukciq, polnaq moschnost', staticheskaq moschnost', dinamicheskaq moschnost', wremq perehodnogo processa, perehodnaq zaderzhka i staticheskij tok w qchejkah 8T SRAM i 10T SRAM. Yachejka 8T SRAM imeet naimen'shee kolichestwo tranzistorow i naimen'shuü ploschad', no skorost' raboty neskol'ko snizhaetsq. Uwelichenie kolichestwa tranzistorow w qchejke 10T SRAM, odnako, priwodit k uwelicheniü ploschadi i zaderzhki pri komnatnoj temperature. Pri powyshenii temperatury ot opredelennogo znacheniq qchejka 10T SRAM rabotaet luchshe, chem qchejka 8T SRAM. Jeto oprawdywaet…mehr

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Produktbeschreibung
Rasschitany i srawneny konstrukciq, polnaq moschnost', staticheskaq moschnost', dinamicheskaq moschnost', wremq perehodnogo processa, perehodnaq zaderzhka i staticheskij tok w qchejkah 8T SRAM i 10T SRAM. Yachejka 8T SRAM imeet naimen'shee kolichestwo tranzistorow i naimen'shuü ploschad', no skorost' raboty neskol'ko snizhaetsq. Uwelichenie kolichestwa tranzistorow w qchejke 10T SRAM, odnako, priwodit k uwelicheniü ploschadi i zaderzhki pri komnatnoj temperature. Pri powyshenii temperatury ot opredelennogo znacheniq qchejka 10T SRAM rabotaet luchshe, chem qchejka 8T SRAM. Jeto oprawdywaet ispol'zowanie 10T SRAM qchejki dlq malomoschnyh prilozhenij s izmenqüschimisq temperaturnymi uslowiqmi. Predlozhennaq konstrukciq pamqti SRAM mozhet byt' realizowana w lüboj cifrowoj sheme.
Autorenporträt
Dr.V.Rukkumani-Assistenzprofessor,Dr.K.Srinivasan,Professor und Leiter,Sri Ramakrishna Engineering College,Coimbatore Dr.N.Devarajan, Dekan, Sri Ramakrishna Institute of Technology,Coimbatore,Tamilnadu, Indien.