Analyse von SRAM-Zellen zur Leistungsreduzierung durch Low-Power-Techniken - Rukkumani, V.
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Das Design, die Gesamtleistung, die statische Leistung, die dynamische Leistung, die Einschwingzeit, die Einschwingverzögerung und der statische Strom in 8T-SRAM- und 10T-SRAM-Zellen werden berechnet und verglichen. Das 8T-SRAM hat die geringste Transistoranzahl und die geringste Flächeneffizienz, aber die Betriebsgeschwindigkeit ist etwas reduziert. Die Erhöhung der Transistoranzahl in der 10T-SRAM-Zelle führt jedoch zu einer Vergrößerung der Fläche und Verzögerung bei Raumtemperatur. Wenn die Temperatur ab einem bestimmten Wert steigt, schneidet die 10T-SRAM-Zelle besser ab als die…mehr

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Produktbeschreibung
Das Design, die Gesamtleistung, die statische Leistung, die dynamische Leistung, die Einschwingzeit, die Einschwingverzögerung und der statische Strom in 8T-SRAM- und 10T-SRAM-Zellen werden berechnet und verglichen. Das 8T-SRAM hat die geringste Transistoranzahl und die geringste Flächeneffizienz, aber die Betriebsgeschwindigkeit ist etwas reduziert. Die Erhöhung der Transistoranzahl in der 10T-SRAM-Zelle führt jedoch zu einer Vergrößerung der Fläche und Verzögerung bei Raumtemperatur. Wenn die Temperatur ab einem bestimmten Wert steigt, schneidet die 10T-SRAM-Zelle besser ab als die 8T-SRAM-Zelle. Dies rechtfertigt die Verwendung von 10T-SRAM-Zellen für Anwendungen mit geringem Stromverbrauch und wechselnden Temperaturbedingungen. Der vorgeschlagene SRAM-Speicherentwurf kann in jeder digitalen Schaltung implementiert werden.
Hinweis: Dieser Artikel kann nur an eine deutsche Lieferadresse ausgeliefert werden.
Autorenporträt
Dr.V.Rukkumani-Assistenzprofessor,Dr.K.Srinivasan,Professor und Leiter,Sri Ramakrishna Engineering College,Coimbatore Dr.N.Devarajan, Dekan, Sri Ramakrishna Institute of Technology,Coimbatore,Tamilnadu, Indien.