Drachev, R: Analytical and Numerical Studies of Defect Forma
-
- Englisch ausgewählt
59,99 €
UVP
68,00 €
inkl. gesetzl. MwSt.,
Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Verlag
VDMSeitenzahl
200
Maße (L/B/H)
1,2/15/22 cm
Gewicht
283 g
Sprache
Englisch
ISBN
978-3-639-12094-3
SiC (Silicon Carbide) structural quality is crucial
for the wide commercialization of SiC electronic
devices that feature superior characteristics for
power conditioning and control. This is why, this
publication is devoted to investigation and
development of comprehensive models that can help to
explain, understand and, then, eliminate
formation of various defects in SiC during PVT
growth.
Noch keine Bewertungen vorhanden
Verfassen Sie die erste Bewertung zu diesem Artikel
Helfen Sie anderen Kundinnen und Kunden durch Ihre Meinung.
Kurze Frage zu unserer Seite
Vielen Dank für dein Feedback
Wir nutzen dein Feedback, um unsere Produktseiten zu verbessern. Bitte habe Verständnis, dass wir dir keine Rückmeldung geben können. Falls du Kontakt mit uns aufnehmen möchtest, kannst du dich aber gerne an unseren Kund*innenservice wenden.
zum Kundenservice