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O empilhamento face a face em Wafer to Wafer (WoW) pode ser feito para as interligações de ligação directa Cu-Cu. Uma boa resistência mecânica para sustentar a força de corte durante o desbaste pode ser conseguida através da colagem de Cu. Ao mesmo tempo que fazer estruturas de interligação fiáveis tem sido um desafio persistente. A tensão resulta da deposição de material, da desadequação da expansão térmica e da electromigração. A deposição de material gera inevitavelmente tensão. Materiais em estruturas de interligação, seleccionados para funcionar como condutores, dieléctricos, ou…mehr

Produktbeschreibung
O empilhamento face a face em Wafer to Wafer (WoW) pode ser feito para as interligações de ligação directa Cu-Cu. Uma boa resistência mecânica para sustentar a força de corte durante o desbaste pode ser conseguida através da colagem de Cu. Ao mesmo tempo que fazer estruturas de interligação fiáveis tem sido um desafio persistente. A tensão resulta da deposição de material, da desadequação da expansão térmica e da electromigração. A deposição de material gera inevitavelmente tensão. Materiais em estruturas de interligação, seleccionados para funcionar como condutores, dieléctricos, ou barreiras, têm coeficientes de expansão térmica diferentes. A força motriz vem do stress acumulado devido ao crescimento do grão e ao desfasamento da expansão térmica (CTE) entre Cu interconectados e dieléctricos. O espaço vazio é então criado a fim de libertar a tensão resultante. Também o fenómeno de electromigração causado pelo stress actual e cria um espaço vazio. Assim, neste projecto, trabalhei no Voiding Induzido de Stress e Electromigração da amostra de ligação directa Cu-Cu com temperatura de ligação de 300C.
Autorenporträt
O Dr. Harjinder Singh é professor associado no Govt. Rajindra College Bathinda, Punjab (Índia) tendo aulas de B. Sc. e M. Sc. Physics. Um investigador altamente qualificado e trabalhador, com 26 anos de experiência em instituições académicas. É o autor de muitas publicações.