Análisis de celdas SRAM para la reducción de potencia mediante técnicas de bajo consumo - Rukkumani, V.
43,99 €
inkl. MwSt.
Versandkostenfrei*
Versandfertig in 1-2 Wochen
payback
22 °P sammeln
  • Broschiertes Buch

Se calculan y comparan el diseño, la potencia total, la potencia estática, la potencia dinámica, el tiempo transitorio, el retardo transitorio y la corriente estática en células SRAM de 8T y 10T. La SRAM de 8T tiene el menor número de transistores y el área menos eficiente, pero la velocidad de funcionamiento se reduce algo. Sin embargo, el aumento del número de transistores en la celda SRAM de 10T hace que el área y el retardo sean mayores a temperatura ambiente. Cuando la temperatura aumenta a partir de un valor determinado, la célula SRAM de 10T funciona mejor que la célula SRAM de 8T. Esto…mehr

Andere Kunden interessierten sich auch für
Produktbeschreibung
Se calculan y comparan el diseño, la potencia total, la potencia estática, la potencia dinámica, el tiempo transitorio, el retardo transitorio y la corriente estática en células SRAM de 8T y 10T. La SRAM de 8T tiene el menor número de transistores y el área menos eficiente, pero la velocidad de funcionamiento se reduce algo. Sin embargo, el aumento del número de transistores en la celda SRAM de 10T hace que el área y el retardo sean mayores a temperatura ambiente. Cuando la temperatura aumenta a partir de un valor determinado, la célula SRAM de 10T funciona mejor que la célula SRAM de 8T. Esto justifica el uso de la celda SRAM de 10T para aplicaciones de bajo consumo con condiciones de temperatura variables. El diseño de memoria SRAM propuesto puede implementarse en cualquier circuito digital.
Hinweis: Dieser Artikel kann nur an eine deutsche Lieferadresse ausgeliefert werden.
Autorenporträt
Dr.V.Rukkumani-Assistenzprofessor,Dr.K.Srinivasan,Professor und Leiter,Sri Ramakrishna Engineering College,Coimbatore Dr.N.Devarajan, Dekan, Sri Ramakrishna Institute of Technology,Coimbatore,Tamilnadu, Indien.