Análisis de celdas SRAM para la reducción de potencia mediante técnicas de bajo consumo
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Se calculan y comparan el diseño, la potencia total, la potencia estática, la potencia dinámica, el tiempo transitorio, el retardo transitorio y la corriente estática en células SRAM de 8T y 10T. La SRAM de 8T tiene el menor número de transistores y el área menos eficiente, pero la velocidad de funcionamiento se reduce algo. Sin embargo, el aumento del número de transistores en la celda SRAM de 10T hace que el área y el retardo sean mayores a temperatura ambiente. Cuando la temperatura aumenta a partir de un valor determinado, la célula SRAM de 10T funciona mejor que la célula SRAM ...
Se calculan y comparan el diseño, la potencia total, la potencia estática, la potencia dinámica, el tiempo transitorio, el retardo transitorio y la corriente estática en células SRAM de 8T y 10T. La SRAM de 8T tiene el menor número de transistores y el área menos eficiente, pero la velocidad de funcionamiento se reduce algo. Sin embargo, el aumento del número de transistores en la celda SRAM de 10T hace que el área y el retardo sean mayores a temperatura ambiente. Cuando la temperatura aumenta a partir de un valor determinado, la célula SRAM de 10T funciona mejor que la célula SRAM de 8T. Esto justifica el uso de la celda SRAM de 10T para aplicaciones de bajo consumo con condiciones de temperatura variables. El diseño de memoria SRAM propuesto puede implementarse en cualquier circuito digital.
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