Rahman Bakhyshov

Análisis termodinámico de los procesos de crecimiento de la capa epitaxial

conexión de semiconductores de Ga2Se3 por el método de tubo abierto en el sistema de transporte de gas Ga-Se-Cl-H

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Produktbeschreibung

El presente trabajo está dedicado al análisis termodinámico de los procesos físico-químicos de crecimiento de las capas epitaxiales del compuesto semiconductor Ga2Se3 a partir de la fase gaseosa en el sistema de flujo Ga - Se - Cl - H y a la modelización de los procesos tecnológicos para la previsión de posibles variantes tecnológicas y la determinación de las condiciones óptimas para la síntesis de este compuesto. Se dan los resultados de las investigaciones sobre la definición y el cálculo de los parámetros termodinámicos de sustancias individuales del sistema Ga - Se - Cl - H, para su utilización en la modelización termodinámica de los procesos de crecimiento de las capas epitaxiales de Ga2Se3 a partir de una fase gaseosa. Se investiga la conexión entre las variables termodinámicas y los parámetros tecnológicos del proceso de síntesis de Ga2Se3 en un reactor de tipo abierto con fuentes separadas de galio y selenio.

Produktdetails

• Verlag: Ediciones Nuestro Conocimiento
• Seitenzahl: 60
• Erscheinungstermin: 17. Juni 2020
• Spanisch
• Abmessung: 220mm x 150mm x 4mm
• Gewicht: 107g
• ISBN-13: 9786202588966
• ISBN-10: 6202588969
• Artikelnr.: 63463365

Autorenporträt

Rahman Agamirza oglu Bakhyshov was born in Azerbaijan in 1950. I graduated from Azerbaijan Pedagogical Institute with a degree in physics in 1971. In 1989, he defended his PhD thesis on semiconductor and dielectric physics. Currently I work at the National Aviation Academy as an associate professor of the Higher Mathematics Department.