Análisis termodinámico de los procesos de crecimiento de la capa epitaxial
conexión de semiconductores de Ga2Se3 por el método de tubo abierto en el sistema de transporte de gas Ga-Se-Cl-H
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El presente trabajo está dedicado al análisis termodinámico de los procesos físico-químicos de crecimiento de las capas epitaxiales del compuesto semiconductor Ga2Se3 a partir de la fase gaseosa en el sistema de flujo Ga - Se - Cl - H y a la modelización de los procesos tecnológicos para la previsión de posibles variantes tecnológicas y la determinación de las condiciones óptimas para la síntesis de este compuesto. Se dan los resultados de las investigaciones sobre la definición y el cálculo de los parámetros termodinámicos de sustancias individuales del sistema Ga - Se - Cl - ...
El presente trabajo está dedicado al análisis termodinámico de los procesos físico-químicos de crecimiento de las capas epitaxiales del compuesto semiconductor Ga2Se3 a partir de la fase gaseosa en el sistema de flujo Ga - Se - Cl - H y a la modelización de los procesos tecnológicos para la previsión de posibles variantes tecnológicas y la determinación de las condiciones óptimas para la síntesis de este compuesto. Se dan los resultados de las investigaciones sobre la definición y el cálculo de los parámetros termodinámicos de sustancias individuales del sistema Ga - Se - Cl - H, para su utilización en la modelización termodinámica de los procesos de crecimiento de las capas epitaxiales de Ga2Se3 a partir de una fase gaseosa. Se investiga la conexión entre las variables termodinámicas y los parámetros tecnológicos del proceso de síntesis de Ga2Se3 en un reactor de tipo abierto con fuentes separadas de galio y selenio.
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