Rosn¿ca z¿o¿ono¿¿ projektów VLSI i technologii procesowych IC zwi¿ksza niedopasowanie pomi¿dzy projektowaniem a produkcj¿. Podobie¿stwo pomi¿dzy uk¿adem wykonanym na waflu a uk¿adem zaprojektowanym w narz¿dziu do projektowania staje si¿ coraz s¿absze. Ró¿nice w procesie, wady produkcyjne, itp. tworz¿ nowe w¿skie gard¿a kosztowe (czas realizacji, wydajno¿¿), gdy wchodzimy w er¿ VLSI w skali nanometrycznej. Motywuje to badania maj¿ce na celu zwi¿kszenie przewidywalno¿ci i wydajno¿ci produkcji VLSI, jak równie¿ technologii projektowania ¿rodków do przezwyci¿¿ania zmienno¿ci procesu i b¿¿dów litograficznych. CMP i inne etapy produkcji w g¿¿bokiej submikronowej skali VLSI maj¿ ró¿ny wp¿yw na urz¿dzenie i funkcje po¿¿cze¿, w zale¿no¿ci od lokalnej charakterystyki uk¿adu. W celu poprawy produkcyjno¿ci i przewidywalno¿ci dziäania oraz ujednolicenia uk¿adu pod wzgl¿dem okre¿lonych kryteriów g¿sto¿ci, wprowadza si¿ do uk¿adu geometri¿ "dummy fill". Full chip dummy fill jest procesem iteracyjnym, czasoch¿onnym i zwi¿kszaj¿cym rozmiar GDS.