W¿¿czenie nanocz¿stek do lutu bezo¿owiowego, trajektoria nanocz¿stek podczas procesu lutowania musi by¿ monitorowana, poniewä b¿dzie miäa wp¿yw na tworzenie si¿ wysoko¿ci spoiny, warstwy zwi¿zków mi¿dzymetalicznych (IMC) i tworzenie si¿ mikro pustek. Dwukierunkowe interakcje wykorzystuj¿ce zarówno metod¿ obj¿to¿ci p¿ynu (VOF) jak i metod¿ fazy dyskretnej (DPM) zostäy wprowadzone w obecnym badaniu, aby uwzgl¿dni¿ interakcj¿ pomi¿dzy nanocz¿stkami i stopionym lutem. Nanocz¿stki wzmocnione, które s¿ wprowadzane do lutu SAC305 to nanocz¿stki tlenku tytanu (TiO2), tlenku niklu (NiO) i tlenku ¿elaza (III) (Fe2O3) o przybli¿onej ¿rednicy ¿20nm w ró¿nych procentach wagowych 0,01, 0,05 i 0,15 % mas.% do zastosowania w ultra drobnym kondensatorze typu 01005. Zarówno badania eksperymentalne jak i symulacyjne zostäy przeprowadzone w celu porównania wäno¿ci nowej symulacji opartej na DPM. Wyniki uzyskane z eksperymentu mog¿ skutecznie zobrazowä rozk¿ad nanocz¿stek na ko¿cu procesu rozp¿ywowego. Symulacja DPM z drugiej strony jest w stanie pokazä szczegó¿ow¿ trajektori¿ nanocz¿stek w trakcie procesu rozp¿ywu termicznego SAC305.
Hinweis: Dieser Artikel kann nur an eine deutsche Lieferadresse ausgeliefert werden.
Hinweis: Dieser Artikel kann nur an eine deutsche Lieferadresse ausgeliefert werden.