Walter Heywang, Hans W. Pötzl

Bänderstruktur und Stromtransport

• Broschiertes Buch

Produktbeschreibung

Aus den Besprechungen: "Die Qualität dieses Werkes läßt es ... notwendig erscheinen, einiges mehr zu ihm zu sagen. Seine Stärke besteht nämlich darin, daß die Grundlagen immer von unterschiedlichen Gesichtspunkten aus behandelt werden. So wird das Bändermodell von den Eigenfunktionen wechselwirkender Atome, aus der Schrödinger-Gleichung und über die Pseudopotentialmethode anschaulich eingeführt. Bedeutsam ist, daß dies auf unterschiedlichem Niveau erfolgt. Dadurch werden die gegenseitige Bedingtheit und die Besonderheiten der Methoden noch deutlicher. Insgesamt werden auf diese Weise vier Kapitel behandelt: Bändermodell, gestörtes Gitter, Rekombination von Ladungsträger und Stromtransport. Ein umfangreiches Literaturverzeichnis und ein gutes Sachwortverzeichnis ergänzen das Werk. Allen denen, die tiefer in diese Problematik eindringen wollen, kann es nur empfohlen werden." #Elektronische Informationstechnik und Kybernetik#

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Produktdetails

• Halbleiter-Elektronik Bd.3
• Verlag: Springer / Springer Berlin Heidelberg / Springer, Berlin
• Artikelnr. des Verlages: 978-3-540-53388-7
• 2., überarb. u. erw. Aufl.
• Seitenzahl: 316
• Erscheinungstermin: 5. August 1991
• Deutsch
• Abmessung: 235mm x 155mm x 18mm
• Gewicht: 520g
• ISBN-13: 9783540533887
• ISBN-10: 3540533885
• Artikelnr.: 36111582

Inhaltsangabe

Bezeichnungen und Symbole.- 1 Das Bändermodell.- 1.1 Bändermodell und Atomeigenfunktionen.- 1.2 Schrödinger-Gleichung der Einelektronen-Näherung und Blochsches Theorem.- 1.3 Das eindimensionale Gitter.- 1.4 Das dreidimensionale Gitter.- 1.5 Gitter-Symmetrieeigenschaften.- 1.6 Bandstruktur spezieller Halbleiter.- 1.7 Anschauliche Interpretation der Leitungsbandstruktur.- 1.8 Pseudopotential methode.- 1.9 Optische Band-B and-Übergänge.- 1.10 Leitfähigkeit und Piezowiderstandseffekt.- 2 Das gestörte Gitter.- 2.1 Überblick über die Art der Gitterstörungen.- 2.2 Lokalisierte Terme.- 2.3 Wechselwirkung zwischen Störstellen.- 2.4 Hochdotierte Halbleiter.- 2.5 Amorphe Halbleiter.- 2.6 Bandstruktur in Kanälen.- 2.7 Halbleiteroberfläche.- 2.8 Bandstruktur bei Korngrenzen und Versetzungen.- 3 Rekombination.- 3.1 Das thermodynamische Gleichgewicht der Ladungsträger und seine Einstellung.- 3.2 Trägerlebensdauer und -diffusion.- 3.3 Band-Band-Rekombination.- 3.4 Kinetik der Termübergänge.- 3.5 Wechselwirkung mehrerer Termsysteme.- 3.6 Vergleich der Rekombinationsmechanismen.- 4 Stromtransport.- 4.1 Die Boltzmann-Gleichung.- 4.2 Gitterschwingungen.- 4.3 Wechselwirkung von Ladungsträgern mit Störstellen und Phononen (Streumechanismen).- 4.4 Beweglichkeit.- 4.5 Galvanomagnetische Erscheinungen.- 4.6 Heiße Elektronen.