Radzhni Gautam

Besperehodnyj MOP-tranzistor GAA

Rewolüciq w poluprowodnikowoj tehnologii

• Broschiertes Buch

Produktbeschreibung

V postoqnno razwiwaüschejsq sfere poluprowodnikowyh tehnologij stremlenie k sozdaniü bolee kompaktnyh, bystryh i äffektiwnyh ustrojstw qwlqetsq dwizhuschej siloj innowacij. Sredi ogromnogo kolichestwa dostizhenij poqwlenie besperehodnogo zatwornogo polewogo tranzistora (MOP-tranzistora) s metallicheskim oxidom-poluprowodnikom (GAA) qwlqetsq wazhnoj wehoj. Jeta kniga predstawlqet soboj issledowanie MOP-tranzistora s besperehodnym zatworom GAA - prorywa, kotoryj obeschaet peresmotret' granicy tradicionnoj konstrukcii tranzistorow. Ot konceptual'nogo genezisa do prakticheskogo primeneniq w razlichnyh otraslqh promyshlennosti - äta kniga prizwana raskryt' wse tonkosti ätoj peredowoj tehnologii. Sochetanie tehnicheskih znanij, prakticheskih primenenij i perspektiwnyh wzglqdow pomozhet oswetit' put' k buduschemu, w kotorom MOP-tranzistory bez perehodow GAA budut igrat' klüchewuü rol' w formirowanii poluprowodnikowogo landshafta.

Produktdetails

• Verlag: Sciencia Scripts
• Seitenzahl: 68
• Erscheinungstermin: 28. Mai 2024
• Russisch
• Abmessung: 220mm x 150mm x 5mm
• Gewicht: 119g
• ISBN-13: 9786207596713
• ISBN-10: 6207596714
• Artikelnr.: 70777327

Autorenporträt

Radzhni Gautam poluchila stepeni Ph.D., M.Sc. i B.Sc. w oblasti älektroniki w Uniwersitete Deli, Indiq, w 2014, 2009 i 2007 godah sootwetstwenno. U nee 16 publikacij w mezhdunarodnyh zhurnalah i 15 publikacij na mezhdunarodnyh konferenciqh. Obschee kolichestwo citirowanij - 338, h-index - 10.