Caracterização da cathodoluminescência: Aplicações em nitretos
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Este trabalho apresenta um modelo computacional bidimensional de intensidade de cathodoluminescência (CL) que tem em conta a dispersão lateral e profunda dos portadores gerados, absorção interna (alfa), taxa de geração, mecanismos de recombinação radiativa intrínsecos e extrínsecos, e condições experimentais de excitação de electrões. É apresentado um estudo experimental sobre GaN utilizando esta técnica, seguido de uma comparação e validação. O estudo da influência de alguns parâmetros físicos como o comprimento de dispersão, a velocidade de recombinação da superfí...
Este trabalho apresenta um modelo computacional bidimensional de intensidade de cathodoluminescência (CL) que tem em conta a dispersão lateral e profunda dos portadores gerados, absorção interna (alfa), taxa de geração, mecanismos de recombinação radiativa intrínsecos e extrínsecos, e condições experimentais de excitação de electrões. É apresentado um estudo experimental sobre GaN utilizando esta técnica, seguido de uma comparação e validação. O estudo da influência de alguns parâmetros físicos como o comprimento de dispersão, a velocidade de recombinação da superfície dos portadores minoritários e o coeficiente de absorção sobre a intensidade da LC. A ênfase foi colocada na dependência do sinal LC dos parâmetros de excitação. Para interpretar os resultados experimentais e validar o nosso modelo, estudámos o efeito do stress e o efeito térmico que acompanha a excitação electrónica sobre o pico fundamental da evolução do CL. Este estudo também nos permitiu explicar a variação da intensidade da LC com fenómenos alfa competitivos, o efeito local da temperatura e o efeito das tensões presentes no material.
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