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Les systèmes constitués d'interfaces métal/silicium ou métal/composés de silicium sont très utilisés dans de nombreux secteurs technologiques. Les propriétés de ces systèmes dépendent fortement des interactions entre les matériaux dans la zone de l'interface. Nous présentons les résultats de l'analyse par EXES et SIMS des interfaces Mo/Si, Mo/SiO2, Mo/Si3N4, NiTi/Si, NiTi/SiO2 et NiTi/Si3N4. Les composés interfaciaux déterminés par EXES sont localisés au travers de l'interface par SIMS. Les liens entre la réactivité de ces interfaces et leur adhérence sont montrés pour certains de ces…mehr

Produktbeschreibung
Les systèmes constitués d'interfaces métal/silicium ou métal/composés de silicium sont très utilisés dans de nombreux secteurs technologiques. Les propriétés de ces systèmes dépendent fortement des interactions entre les matériaux dans la zone de l'interface. Nous présentons les résultats de l'analyse par EXES et SIMS des interfaces Mo/Si, Mo/SiO2, Mo/Si3N4, NiTi/Si, NiTi/SiO2 et NiTi/Si3N4. Les composés interfaciaux déterminés par EXES sont localisés au travers de l'interface par SIMS. Les liens entre la réactivité de ces interfaces et leur adhérence sont montrés pour certains de ces systèmes. La nécessité de l'emploi de techniques non destructives pour l'analyse physicochimique des interfaces est montrée au travers d'une comparaison de l'analyse EXES avec les analyses par XPS assistée par décapage ionique et par METHR-EELS. Nous déterminons les conditions de préparation permettant de minimiser la réactivité interfaciale de nos systèmes.
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Autorenporträt
Ignace Jarrige obtient son doctorat en chimie physique àl'Université Pierre et Marie Curie Paris 6 en 2003. Il embarque pour le Japon en 2004, où ilse familiarise avec différentes techniques de diffusion et spectroscopie de rayons Xsur le synchrotron SPring-8. En 2007, il devient chercheur à l'agence de l'énergieatomique japonaise.