Andere Kunden interessierten sich auch für
![Implémentation de l'interface analogique d'un glucomètre en technologie CMOS]( "Implémentation de l'interface analogique d'un glucomètre en technologie CMOS")
Implémentation de l'interface analogique d'un glucomètre en technologie CMOS23,99 €![Isolation haute température des semi-conducteurs de puissance]( "Isolation haute température des semi-conducteurs de puissance")
Isolation haute température des semi-conducteurs de puissance42,99 €![Modélisation des composants discrets à semi conducteur]( "Modélisation des composants discrets à semi conducteur")
Modélisation des composants discrets à semi conducteur26,99 €![Caractérisation de la coagulation du lait par traitement d¿images]( "Caractérisation de la coagulation du lait par traitement d¿images")
Caractérisation de la coagulation du lait par traitement d¿images26,99 €![Méthodes de Caractérisation Diélectrique des Matériaux en Micro-onde]( "Méthodes de Caractérisation Diélectrique des Matériaux en Micro-onde")
Méthodes de Caractérisation Diélectrique des Matériaux en Micro-onde36,99 €![Principes de base des dispositifs et circuits électroniques]( "Principes de base des dispositifs et circuits électroniques")
Principes de base des dispositifs et circuits électroniques29,99 €![Films diélectriques à haute valeur k en oxyde de tantale dopé au zirconium pour dispositifs MOS]( "Films diélectriques à haute valeur k en oxyde de tantale dopé au zirconium pour dispositifs MOS")
Films diélectriques à haute valeur k en oxyde de tantale dopé au zirconium pour dispositifs MOS23,99 €
Ce livre présente une large étude sur les propriétés électriques des couches minces d'oxydes : SiO2, Al2O , MgO et de leurs alliages binaires déposés sur les antimoniures : GaSb dégénéré et Ga0, 96Al0, 04Sb. Les oxydes sont fabriqués par coévaporation thermique réactive au canon à électron. Les résultats de cette étude donnent : - Sur le GaSb dégénéré, des résistivités de l'ordre de 1014 cm et les conductions électriques alternative et continue en fonction de la température sont interprétées par des modèles similaires à ceux de Poole-Frenkel. - Sur le Ga -XAlXSb de type n, on observe un déplacement du niveau de Fermi en fonction de la tension de grille et à partir des caractéristiques C(V) on déduit la concentration des impuretés dans le substrat. La dispersion en fréquence de la capacité, très forte en accumulation, est due au blocage du niveau de Fermi. Cette anomalie est attribuée à la présence d'une bande d'états d'interface accepteurs.