Caractérisation et propriétés PL et TL de Ce3+ - Dhanalakshmi, K.;JagannathaReddy, A.;HariKrishna, R.
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Ce livre explique comment les nanophosphores Y2SiO5:Ce3+ (1-7 % en moles) ont été préparés par la méthode de combustion en solution en utilisant du carburant oxalyldihydrazide. Les luminophores ont été caractérisés par diffraction des rayons X, microscopie électronique à balayage, spectroscopie UV-visible et infrarouge à transformée de Fourier. Les modèles XRD confirment la structure monoclinique des luminophores préparés, avec une taille de cristallite de 66-74 nm. La morphologie de surface et la composition élémentaire ont été évaluées par SEM et analyse par rayons X à dispersion d'énergie.…mehr

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Produktbeschreibung
Ce livre explique comment les nanophosphores Y2SiO5:Ce3+ (1-7 % en moles) ont été préparés par la méthode de combustion en solution en utilisant du carburant oxalyldihydrazide. Les luminophores ont été caractérisés par diffraction des rayons X, microscopie électronique à balayage, spectroscopie UV-visible et infrarouge à transformée de Fourier. Les modèles XRD confirment la structure monoclinique des luminophores préparés, avec une taille de cristallite de 66-74 nm. La morphologie de surface et la composition élémentaire ont été évaluées par SEM et analyse par rayons X à dispersion d'énergie. La bande interdite optique a été calculée et se situe entre 4,66 eV et 4,9 eV. La présence de liaisons Si-O-Si et Y-O a été confirmée par les spectres FTIR. L'effet de la concentration de cérium sur la photoluminescence et l'intensité de la thermoluminescence a été interprété. Le spectre d'émission de photoluminescence a été enregistré sous une longueur d'onde d'excitation de 370 nm, les spectres d'émission ont montré trois pics significatifs positionnés à 418 nm, 459 nm et 485 nm, qui sont attribués aux transitions électroniques entre les niveaux 5d-4f. La nature et l'activité des centres de pièges ont été évaluées à partir des paramètres obtenus à partir de la méthode de forme des pics de Chen.
Autorenporträt
Dr. K. Dhanalakshmi está trabalhando como Sr.A.P. no New Horizon College of Engineering, Bangalore, Índia.