Caratterizzazione della catodoluminescenza: Applicazioni sui nitruri
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Questo lavoro presenta un modello computazionale bidimensionale dell'intensità della catodoluminescenza (CL) che tiene conto della dispersione laterale e di profondità dei portatori generati, dell'assorbimento interno (alfa), del tasso di generazione, dei meccanismi di ricombinazione radiativa intrinseca ed estrinseca e delle condizioni sperimentali di eccitazione degli elettroni. Viene presentato uno studio sperimentale sul GaN con questa tecnica, seguito da un confronto e da una validazione. Lo studio dell'influenza di alcuni parametri fisici come la lunghezza di dispersione, la velocità ...
Questo lavoro presenta un modello computazionale bidimensionale dell'intensità della catodoluminescenza (CL) che tiene conto della dispersione laterale e di profondità dei portatori generati, dell'assorbimento interno (alfa), del tasso di generazione, dei meccanismi di ricombinazione radiativa intrinseca ed estrinseca e delle condizioni sperimentali di eccitazione degli elettroni. Viene presentato uno studio sperimentale sul GaN con questa tecnica, seguito da un confronto e da una validazione. Lo studio dell'influenza di alcuni parametri fisici come la lunghezza di dispersione, la velocità di ricombinazione superficiale dei portanti minoritari e il coefficiente di assorbimento sull'intensità della LC. L'accento è stato posto sulla dipendenza del segnale LC dai parametri di eccitazione. Per interpretare i risultati sperimentali e convalidare il nostro modello abbiamo studiato l'effetto dello stress e l'effetto termico che accompagna l'eccitazione elettronica sull'evoluzione fondamentale dei picchi di CL. Questo studio ci ha anche permesso di spiegare la variazione dell'intensità della LC con fenomeni alfa competitivi, l'effetto locale della temperatura e l'effetto delle sollecitazioni presenti nel materiale.
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