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Es conocido que la carga de espacio o carga libre en un material dieléctrico es capaz de incrementar el campo eléctrico local y que contribuye al proceso de ruptura dieléctrica del aislante; por este motivo es de gran interés el estudio de las causas que dan lugar a la formación de este tipo de carga en aislamientos usados en electricidad y electrónica. El polietileno reticulado (XLPE) es usado como aislamiento en cables de potencia y el objetivo es que el mismo acumule la mínima carga de espacio para prolongar el tiempo de vida útil del cable. En tal sentido los fabricantes tratan de…mehr

Produktbeschreibung
Es conocido que la carga de espacio o carga libre en un material dieléctrico es capaz de incrementar el campo eléctrico local y que contribuye al proceso de ruptura dieléctrica del aislante; por este motivo es de gran interés el estudio de las causas que dan lugar a la formación de este tipo de carga en aislamientos usados en electricidad y electrónica. El polietileno reticulado (XLPE) es usado como aislamiento en cables de potencia y el objetivo es que el mismo acumule la mínima carga de espacio para prolongar el tiempo de vida útil del cable. En tal sentido los fabricantes tratan de optimizar los factores que aporten carga de espacio durante los procesos de fabricación de los cables. En nuestro trabajo hemos caracterizado seis tipos de cables de media tensión mediante la técnica TSDC detectándose diferencias en la cantidad de carga acumulada. Luego comprobamos mediante análisis IR-FTIR que las pantallas semiconductoras difunden material hacia el XLPE. Usando la técnica SEM se ha comprobado que se difunden componentes de distinta composición química que provocan que el espectro TSDC sea distinto. Finalmente se han realizado ajustes para un modelo que explica los espectros TSDC.
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Autorenporträt
Doctor en Físíca Aplicada y Simulación en Ciencias por la Universidad Politécnica de Catalunya. Investigaciones en espectroscopia dieléctrica y espectroscopia óptica de emisión atómica. Docencia de Física en la Universidades de Holguín Cuba, Politécnica de Catalunya, Barcelona, España y actualmente la Tecnológica Equinoccial de Quito, Ecuador.