Charakterisierung und PL- und TL-Eigenschaften von Ce3+ - Dhanalakshmi, K.;JagannathaReddy, A.;HariKrishna, R.
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Dieses Buch erklärt, wie Y2SiO5:Ce3+ (1-7 Mol-%) Nanophosphore durch Lösungsverbrennungsverfahren unter Verwendung von Oxalyldihydrazid-Brennstoff hergestellt wurden. Die Leuchtstoffe wurden durch Röntgenbeugung, Rasterelektronenmikroskopie, UV-Vis- und Fourier-Transformations-Infrarotspektroskopie charakterisiert. Die XRD-Muster bestätigen die monokline Struktur der hergestellten Leuchtstoffe mit einer Kristallitgröße von 66-74 nm. Die Oberflächenmorphologie und elementare Zusammensetzung wurden durch SEM und energiedispersive Röntgenanalyse bewertet. Die optische Bandlücke wurde berechnet…mehr

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Produktbeschreibung
Dieses Buch erklärt, wie Y2SiO5:Ce3+ (1-7 Mol-%) Nanophosphore durch Lösungsverbrennungsverfahren unter Verwendung von Oxalyldihydrazid-Brennstoff hergestellt wurden. Die Leuchtstoffe wurden durch Röntgenbeugung, Rasterelektronenmikroskopie, UV-Vis- und Fourier-Transformations-Infrarotspektroskopie charakterisiert. Die XRD-Muster bestätigen die monokline Struktur der hergestellten Leuchtstoffe mit einer Kristallitgröße von 66-74 nm. Die Oberflächenmorphologie und elementare Zusammensetzung wurden durch SEM und energiedispersive Röntgenanalyse bewertet. Die optische Bandlücke wurde berechnet und liegt zwischen 4,66 eV - 4,9 eV. Das Vorhandensein von Si-O-Si- und Y-O-Bindungen wurde durch die FTIR-Spektren bestätigt. Die Wirkung der Cerkonzentration auf die Photolumineszenz- und Thermolumineszenzintensität wurde interpretiert. Das Photolumineszenz-Emissionsspektrum wurde bei einer Anregungswellenlänge von 370 nm aufgezeichnet, die Emissionsspektren zeigten drei signifikante Peaks bei 418 nm, 459 nm und 485 nm, die elektronischen Übergängen zwischen 5d-4f-Niveaus zugeschrieben werden. Die Art und Aktivität von Trap-Zentren wurden anhand der Parameter bewertet, die aus Chens Peak-Shape-Methode erhalten wurden.
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Autorenporträt
Dr. K. Dhanalakshmi está trabalhando como Sr.A.P. no New Horizon College of Engineering, Bangalore, Índia.