Produktbild: Charge Transport in Low Dimensional Semiconductor Structures
Band 31

Charge Transport in Low Dimensional Semiconductor Structures The Maximum Entropy Approach

Aus der Reihe Mathematics in Industry

97,99 €

inkl. gesetzl. MwSt., Versandkostenfrei


Beschreibung

Produktdetails

Einband

Gebundene Ausgabe

Erscheinungsdatum

03.03.2020

Abbildungen

XVI, 337 p. 83 illus., 23 illus. in color.

Verlag

Springer

Seitenzahl

337

Maße (L/B/H)

24,1/16/2,5 cm

Gewicht

699 g

Auflage

20001 Auflage 1st edition 2020

Sprache

Englisch

ISBN

978-3-030-35992-8

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Gebundene Ausgabe

Erscheinungsdatum

03.03.2020

Abbildungen

XVI, 337 p. 83 illus., 23 illus. in color.

Verlag

Springer

Seitenzahl

337

Maße (L/B/H)

24,1/16/2,5 cm

Gewicht

699 g

Auflage

20001 Auflage 1st edition 2020

Sprache

Englisch

ISBN

978-3-030-35992-8

Herstelleradresse

Springer-Verlag KG
Sachsenplatz 4-6
1201 Wien
AT

Email: ProductSafety@springernature.com

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  • Produktbild: Charge Transport in Low Dimensional Semiconductor Structures

  • Band Structure and Boltzmann Equation.- Maximum Entropy Principle.- Application of MEP to Charge Transport in Semiconductors.- Application of MEP to Silicon.- Some Formal Properties of the Hydrodynamical Model.- Quantum Corrections to the Semiclassical Models.- Mathematical Models for the Double-Gate MOSFET.- Numerical Method and Simulations.- Application of MEP to Charge Transport in Graphene.