J. S. Foord / G. J. Davies / W. T. Tsang (Hgg.)

Chemical Beam Epitaxy and Related Techniques

Herausgegeben von Foord, J. S.; Davies, G. J.; Tsang, W. T.

• Gebundenes Buch

Produktbeschreibung

Chemical beam epitaxy is a method of growing semiconductor layers which has wide-ranging application in the international electronics and opto-electronic industries.

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Die Strahlepitaxie (Chemical Beam Epitaxy) ist eine relativ neue Methode der Herstellung von Halbleiterschichten. Hier erfahren Sie alles Wichtige rund um dieses Verfahren: Ausrüstung, chemische Mechanismen, Eigenschaften verschiedener Halbleitermaterialien. Für Interessenten aus Physik, Elektronik und Elektrotechnik.

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Produktdetails

• Verlag: Wiley & Sons
• 1. Auflage
• Seitenzahl: 460
• Erscheinungstermin: 8. Dezember 1997
• Englisch
• Abmessung: 235mm x 157mm x 32mm
• Gewicht: 832g
• ISBN-13: 9780471967484
• ISBN-10: 0471967483
• Artikelnr.: 22086189

Autorenporträt

John S Foord and G. J. Davies are the authors of Chemical Beam Epitaxy and Related Techniques, published by Wiley.

Inhaltsangabe

Chemical Beam Epitaxy: An Introduction (G. Davies, et al.).
Growth Apparatus Design and Safety Considerations (F. Alexandre & J.
Benchimol).
Precursors for Chemical Beam Epitaxy (D. Bohling).
Reaction Mechanisms for III-V Semiconductor Growth by Chemical Beam
Epitaxy: Physical Origins of the Growth Kinetics and Film Purities Observed
(J. Foord).
Growth of GaAs-Based Devices by Chemical Beam Epitaxy (C. Abernathy).
CBE InP-Based Materials and Devices (W. Tsang & T. Chiu).
MOMBE of Antiminides and Growth Model (H. Asahi).
Chemical Beam Epitaxy of Widegap II-VI Compound Semiconductors (A.
Yoshikawa).
Gas Source Molecular Beam Epitaxy of Silicon and Related Materials (Y.
Shiraki).
Gas Source Molecular Beam Epitaxy (L. Goldstein).
Dopants and Dopant Incorporation (T. Whitaker & T. Martin).
Selected Area Epitaxy (H. Heinecke & G. Davies).
Chemical Beam Etching (W. Tsang & T. Chiu).
Laser-Assisted Epitaxy (H. Sugiura).
Index.