CMOS-LNA im 130nm-Prozess
Verbesserte Rauschzahl und Linearität durch Oberwellenunterdrückung
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Der Bereich der Elektronik bewegt sich unaufhaltsam auf die immer kleiner werdenden Technologien zu. Die Technologie einer neuen Generation erreicht jetzt die Nanoskala. Da die Technologie schrumpft, hat sie einige Vor- und Nachteile. RFICs nutzen diese Nanotechnologie für die effektive Arbeit. Es gibt jedoch einige Probleme bei der Entwicklung von RFICs aufgrund der Skalierung der Technologie, wie z. B. geringer Stromverbrauch, Entwicklung verschiedener Schaltungen wie rauscharme Verstärker (LNA), Mischer, Differenzverstärker usw., Rauschzahl, Impedanzanpassung, Linearität, Lebensdauer vo...
Der Bereich der Elektronik bewegt sich unaufhaltsam auf die immer kleiner werdenden Technologien zu. Die Technologie einer neuen Generation erreicht jetzt die Nanoskala. Da die Technologie schrumpft, hat sie einige Vor- und Nachteile. RFICs nutzen diese Nanotechnologie für die effektive Arbeit. Es gibt jedoch einige Probleme bei der Entwicklung von RFICs aufgrund der Skalierung der Technologie, wie z. B. geringer Stromverbrauch, Entwicklung verschiedener Schaltungen wie rauscharme Verstärker (LNA), Mischer, Differenzverstärker usw., Rauschzahl, Impedanzanpassung, Linearität, Lebensdauer von RFICs, Leckstrom usw. Unter all diesen Herausforderungen sind die Linearität und die Rauschzahl von rauscharmen Verstärkern ein Hindernis für ein effizientes RFIC-Design.
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