CMOS SRAM Conception et analyse d'une cellule SRAM à faible fuite et à grande vitesse - Gupta, Rohin;Gill, S.S.;Kaur, Navneet
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Ce travail présente une nouvelle cellule SRAM 5T et 6T à extrémité unique. Ce transistor est une cellule à haute densité ou prend moins de place qu'une cellule SRAM 6T conventionnelle. Le courant de fuite de cette cellule est très faible par rapport aux autres cellules 5T ou 6T conventionnelles. Un circuit de précharge est nécessaire pour cette cellule, comme c'est le cas pour la cellule SRAM 6T conventionnelle. Cette cellule est également économe en énergie. Les résultats montrent également que les données stockées dans cette cellule sont très stables. Il est toujours possible d'améliorer…mehr

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Produktbeschreibung
Ce travail présente une nouvelle cellule SRAM 5T et 6T à extrémité unique. Ce transistor est une cellule à haute densité ou prend moins de place qu'une cellule SRAM 6T conventionnelle. Le courant de fuite de cette cellule est très faible par rapport aux autres cellules 5T ou 6T conventionnelles. Un circuit de précharge est nécessaire pour cette cellule, comme c'est le cas pour la cellule SRAM 6T conventionnelle. Cette cellule est également économe en énergie. Les résultats montrent également que les données stockées dans cette cellule sont très stables. Il est toujours possible d'améliorer tout type de circuit ou d'application. La configuration proposée peut être améliorée à l'aide de diverses techniques. Nous pouvons modifier le rapport d'aspect de la cellule pour obtenir de meilleurs résultats. Nous pouvons appliquer le gating d'horloge pour un circuit économe en énergie. Nous pouvons améliorer le circuit périphérique pour de meilleures performances.
Autorenporträt
Rohin Gupta est chercheur au GNDEC, à Ludhiana, et président de la société Brainiac Solutions. Le professeur Sandeep Singh Gill est professeur et directeur du département ECE au GNDEC, Ludhiana. Navneet Kaur est professeur assistant au GNDEC, Ludhiana.