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L'évolution des technologies d'intégration à très grande échelle a marqué l'épanouissement de la microélectronique moderne. La conception assistée par ordinateur est au coeur des recherches mondiales d'une part par le développement considérable des logiciels pour composant intégré submicronique et d'autre part par la préoccupation première des facteurs des circuits complexes intégrant ces composants. Le modèle de base du transistor MESFET GaAs est un outils efficace pour la CAO des circuits intégrés micro-ondes et logiques.

Produktbeschreibung
L'évolution des technologies d'intégration à très grande échelle a marqué l'épanouissement de la microélectronique moderne. La conception assistée par ordinateur est au coeur des recherches mondiales d'une part par le développement considérable des logiciels pour composant intégré submicronique et d'autre part par la préoccupation première des facteurs des circuits complexes intégrant ces composants. Le modèle de base du transistor MESFET GaAs est un outils efficace pour la CAO des circuits intégrés micro-ondes et logiques.
Autorenporträt
Dr M. S. Benbouza est écrivain et chercheur, maître de conférences, enseignant depuis 1982 à l¿université de Batna2, diplômé des études approfondies sur les composants physiques, Ingénierie en électronique ENP Alger, Magister en composants électroniques à Constantine. Responsable de recherche à Batna2.