Conception et analyse de l'AP de classe E : Une bande de 4GHz pour les applications mobiles - Abubakar, Nasiru
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Conception et analyse d'un amplificateur de puissance de classe E : une bande de 4 GHz pour les applications mobiles est introduite. Ce travail a permis de concevoir un amplificateur de puissance de classe E avec un réseau de charge et un seul transistor sans réactance excessive à une fréquence plus élevée pour résoudre les problèmes tels que : La dissipation de puissance dans le dispositif actif, la variation de la tension d'alimentation et la contrainte d'inductance en utilisant la conception d'amplificateur à bande étroite. Le modèle d'amplificateur de puissance de classe E est conçu et…mehr

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Produktbeschreibung
Conception et analyse d'un amplificateur de puissance de classe E : une bande de 4 GHz pour les applications mobiles est introduite. Ce travail a permis de concevoir un amplificateur de puissance de classe E avec un réseau de charge et un seul transistor sans réactance excessive à une fréquence plus élevée pour résoudre les problèmes tels que : La dissipation de puissance dans le dispositif actif, la variation de la tension d'alimentation et la contrainte d'inductance en utilisant la conception d'amplificateur à bande étroite. Le modèle d'amplificateur de puissance de classe E est conçu et présenté dans ce travail de recherche. Il a été démontré par une vérification dans le simulateur de circuit multisim. La dérivation d'une expression pour obtenir la condition de commutation optimale correcte a été effectuée afin de prouver la justesse de cette théorie. Le calcul a été effectué à 100%, la simulation à 98,42% et la conception expérimentale à 90,34% d'un amplificateur de puissance de classe E avec un réseau de charge et un seul transistor, le rendement global a été atteint, alimenté en 1,8V dc. L'amplificateur a fonctionné à une fréquence de bande de 4 GHz et à un rapport cyclique de 50 % pour un signal sinusoïdal stable. On peut donc conclure que le fonctionnement optimal ne peut être obtenu qu'à une résistance de charge optimale,R2= R1. à R2 = R1, la tension de sortie sinusoïdale atteindra presque le maximum.
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Autorenporträt
Iam Nasiru Abubakar de la zona de Gwadangaji Kabawa Birnin kebbi, Estado de Kebbi, Nigeria. Y actualmente es profesor del departamento de física de la Universidad Federal de Electrónica Birnin Kebbi.