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Dans le domaine des applications avioniques, des dispositifs d'électronique de puissance devront être placé sur le réacteur avec, dans le pire des cas, une température ambiante de 200°C et des cycles thermiques compris entre -55°C et 200°C. La première partie présente les caractérisations électriques de composants à semi-conducteur afin de justifier les choix pour leur utilisation à haute température. En complément d'une campagne expérimentale, s'appuyant sur un cyclage thermique de grande amplitude, une évaluation numérique des sollicitations dans l'assemblage permettra de mieux comprendre…mehr

Produktbeschreibung
Dans le domaine des applications avioniques, des dispositifs d'électronique de puissance devront être placé sur le réacteur avec, dans le pire des cas, une température ambiante de 200°C et des cycles thermiques compris entre -55°C et 200°C. La première partie présente les caractérisations électriques de composants à semi-conducteur afin de justifier les choix pour leur utilisation à haute température. En complément d'une campagne expérimentale, s'appuyant sur un cyclage thermique de grande amplitude, une évaluation numérique des sollicitations dans l'assemblage permettra de mieux comprendre les mécanismes d'endommagement des assemblages de puissance dans ces conditions sévères d'utilisation. Afin d'améliorer la durée de vie des assemblages, la dernière partie de cette étude présente les résultats obtenus pour de nouveaux véhicules de test composés de substrats céramiques de technologie différente. Finalement, une étude numérique est réalisée dans le but d'appréhender le mécanisme d'endommagement afin de proposer des règles de conception permettant d'augmenter la durée de vie des assemblages de puissance.
Autorenporträt
Laurent Dupont est né à Albi (France) en 1972. Après dix années dans industrie, il s''oriente vers la recherche et obtient un doctorat de l''ENS de Cachan en juin 2006. Depuis 2008, Il exerce les fonctions de chargé de recherche à l''INRETS. Ces travaux portent sur l''évaluation des mécanismes d''endommagement des modules à semi-conducteur de puissance.