Contribution a la Modelisation Des Tbh Si/Sige En Temperature - Mnif, Hassene;Zimmer, Thomas
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La prise en compte de l effet de la température et en particulier de l auto-échauffement est un aspect fondamental pour rendre compte de manière précise des caractéristiques électriques des transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGe. L utilisation de ces composants dans des applications micro-ondes susceptibles d être exposées à différentes températures et fonctionnant pour des fortes densités de courant accentuent énormément ces effets. Par conséquent, une modélisation précise de ces phénomènes est indispensable. Un modèle dynamique décrivant l auto-échauffement, caractérisé par une…mehr

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Produktbeschreibung
La prise en compte de l effet de la température et en particulier de l auto-échauffement est un aspect fondamental pour rendre compte de manière précise des caractéristiques électriques des transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGe. L utilisation de ces composants dans des applications micro-ondes susceptibles d être exposées à différentes températures et fonctionnant pour des fortes densités de courant accentuent énormément ces effets. Par conséquent, une modélisation précise de ces phénomènes est indispensable. Un modèle dynamique décrivant l auto-échauffement, caractérisé par une élévation de la température de jonction, a été développé. Une équivalence électrique de ce modèle analytique a été réalisée afin qu il soit compatible avec des modèles électriques de type SPICE. Un banc de test spécifique pour évaluer le nouveau modèle et extraire ses paramètres a été mis en uvre. Dans une deuxième partie, la dépendance en température des différents paramètres qui peuvent intervenir dans un modèle électrique compact et en particulier dans le modèle HICUM a été étudiée.
Autorenporträt
DR. Hassene MNIF Maître assistant à l'ISECS de l'Université deSfax et membre du Laboratoire LETI de l'ENIS, Ses activités derecherche portent sur la modélisation de composants et sur laconception de CI RF.Thomas Zimmer professeur à l'Université de Bordeaux 1, France. Ildirige au Laboratoire IMS le groupe de recherche en"Nanoélectronique".