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Le potentiel en circuit ouvert des alliages de titane métallique, de TAV et de Co-Cr-W non revêtus, revêtus de n-TCP et revêtus d'un composite GO/CS/n-TCP dans le sérum augmente dans la direction noble avec l'augmentation du temps d'immersion, et cela continue pendant environ une heure avant d'atteindre une valeur constante révélant la croissance du film protecteur formé par l'air sur les surfaces des matériaux. Un circuit électrique équivalent à deux constantes temporelles était approprié pour le film passif de nature duplex sur les matériaux examinés .Les résultats EIS ont indiqué que la…mehr

Produktbeschreibung
Le potentiel en circuit ouvert des alliages de titane métallique, de TAV et de Co-Cr-W non revêtus, revêtus de n-TCP et revêtus d'un composite GO/CS/n-TCP dans le sérum augmente dans la direction noble avec l'augmentation du temps d'immersion, et cela continue pendant environ une heure avant d'atteindre une valeur constante révélant la croissance du film protecteur formé par l'air sur les surfaces des matériaux. Un circuit électrique équivalent à deux constantes temporelles était approprié pour le film passif de nature duplex sur les matériaux examinés .Les résultats EIS ont indiqué que la résistance à la corrosion augmente avec le temps puis diminue après 21 jours en raison de la décomposition partielle du film protecteur sur lessurfaces des électrodes .La résistance à la corrosion des surfaces des matériaux examinés suit l'ordre suivant : non revêtu < revêtu de n -TCP< revêtudu composite GO/CS/n-TCP. Lerevêtement des surfaces des matériaux testés avec du n-TCP ou du composite augmente le processus de croissance du film passif avec le temps jusqu'à une épaisseur définie, mais pendant une longue période, cette couche protectrice se dissout jusqu'à une certaine limite.
Autorenporträt
Awad Mogoda, docteur en chimie physique de l'université du Caire en 1986. Professeur de chimie physique à l'université du Caire. Il s'intéresse à l'étude de la corrosion des métaux et des alliages, à la préparation de films minces d'oxyde anodique, aux supraconducteurs et au silicium poreux.