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Il potenziale a circuito aperto delle leghe di titanio metallico, TAV e Co-Cr-W non rivestite, rivestite di n-TCP e rivestite di GO/CS/n-TCP in siero aumenta in direzione nobile con l'aumentare del tempo di immersione, e questo continua per circa un'ora prima di raggiungere un valore costante che rivela la crescita del film protettivo formato dall'aria sulle superfici dei materiali. Un circuito elettrico equivalente a due costanti di tempo è risultato adatto per il film passivo duplex in natura sui materiali esaminati . I risultati EIS hanno indicato che la resistenza alla corrosione aumenta…mehr

Produktbeschreibung
Il potenziale a circuito aperto delle leghe di titanio metallico, TAV e Co-Cr-W non rivestite, rivestite di n-TCP e rivestite di GO/CS/n-TCP in siero aumenta in direzione nobile con l'aumentare del tempo di immersione, e questo continua per circa un'ora prima di raggiungere un valore costante che rivela la crescita del film protettivo formato dall'aria sulle superfici dei materiali. Un circuito elettrico equivalente a due costanti di tempo è risultato adatto per il film passivo duplex in natura sui materiali esaminati . I risultati EIS hanno indicato che la resistenza alla corrosione aumenta con il tempo e poi diminuisce dopo 21 giorni a causa della parziale decomposizione del film protettivo sulle superfici degli elettrodi . Laresistenza alla corrosione delle superfici dei materiali esaminati segue l'ordine: non rivestito < rivestito con n-TCP< rivestito con GO/CS/n-TCP composito. Ilrivestimento delle superfici dei materiali testati con n-TCP o composito aumenta il processo di crescita del film passivo nel tempo fino a raggiungere uno spessore definito, ma per unlungo periodo questo strato protettivo si dissolve fino a un certo limite.
Autorenporträt
Awad Mogoda, Promotion in physikalischer Chemie an der Universität Kairo im Jahr 1986. Professor für physikalische Chemie an der Universität Kairo. Er befasst sich mit der Korrosion von Metallen und Legierungen, der Herstellung dünner anodischer Oxidschichten, Supraleitern und porösem Silizium.