Creación de fotomáscaras mediante litografía láser sin máscara
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El lugar principal en la tecnología moderna de fabricación de productos microelectrónicos lo ocupa la fotolitografía. El proceso tecnológico de la fotolitografía consta de varias operaciones básicas: preparar la superficie de una oblea semiconductora, aplicar una capa de fotorresistente a la superficie de la oblea, secar el fotorresistente, exponer, revelar y endurecer el fotorresistente, controlando las dimensiones geométricas de la imagen. , grabado de la película, lavado de la oblea después del grabado, eliminación de la película fotorresistente de la superficie, control de las ...
El lugar principal en la tecnología moderna de fabricación de productos microelectrónicos lo ocupa la fotolitografía. El proceso tecnológico de la fotolitografía consta de varias operaciones básicas: preparar la superficie de una oblea semiconductora, aplicar una capa de fotorresistente a la superficie de la oblea, secar el fotorresistente, exponer, revelar y endurecer el fotorresistente, controlando las dimensiones geométricas de la imagen. , grabado de la película, lavado de la oblea después del grabado, eliminación de la película fotorresistente de la superficie, control de las placas procesadas. El objetivo del trabajo fue obtener fotomáscaras con los mínimos parámetros posibles para este equipo. Para ello, se investigó la influencia del tiempo de exposición y el tiempo de revelado sobre los parámetros de las fotomáscaras (la naturaleza del patrón) obtenidos por el método de litografía láser sin máscara en la instalación de exposición "Heidelberg µPG501". Como resultado del trabajo se realizaron fotomáscaras con parámetros geométricos de 2 ¿m, mientras que para este lote el tiempo de exposición óptimo fue de 35 ms y el tiempo de revelado fue de 60 s.
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