Alexandr Alalykin, Petr Krylow

Defektoobrazowanie w arsenide galliq pri ionnom obluchenii

Vliqnie oblucheniq ionami argona nizkih änergij na strukturu i swojstwa arsenida galliq

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Produktbeschreibung

V monografii priwedeny äxperimental'nye rezul'taty po nizkoänergetichnomu oblucheniü monokristallicheskogo arsenida galliq ionami argona s änergiej 5 käV. Issledowano wliqnie oblucheniq razlichnymi dozami na strukturnye, opticheskie i fotoälektricheskie swojstwa. Obnaruzheno izmenenie swojstw na rasstoqniqh znachitel'no prewyshaüschih glubinu proniknoweniq ionow. Predlozhena fiziko-matematicheskaq model' defektno-dislokacionnoj perestrojki struktury s klasterizaciej tochechnyh defektow. Opredeleny osnownye urawneniq, uslowiq primenimosti, proweden teoreticheskij i chislennyj raschet.

Produktdetails

• Verlag: LAP LAMBERT Academic Publishing
• Seitenzahl: 184
• Erscheinungstermin: 6. Dezember 2011
• Russisch
• Abmessung: 220mm x 150mm x 12mm
• Gewicht: 292g
• ISBN-13: 9783845472577
• ISBN-10: 384547257X
• Artikelnr.: 62793067

Autorenporträt

Alalykin Alexandr Sergeewich, kandidat fiziko-matematicheskih nauk, docent, docent kafedry fiziki twerdogo tela UdGU, weduschij inzhener uchebno-nauchnoj laboratorii ¿Fiziki kondensirowannyh sred¿ UNI JeE, otwetstwennyj redaktor po fizike zhurnala ¿Vestnik UdGU. Seriq fizika i himiq¿. Awtor rabot w oblasti fiziki defektow, fiziki poluprowodnikow.