Desarrollo de la tecnología basada en semiconductores de nitruro de galio - Farhan, Mansour
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Los semiconductores de III-nitruros, en concreto los materiales basados en GaN, incluido el GaN binario y las aleaciones relacionadas con InN y AlN, como el AlGaN ternario y el InGaN, así como el InAlGaN cuaternario, se han investigado intensamente en los últimos años debido a sus posibles aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos que funcionan en el rango espectral de longitudes de onda cortas y en dispositivos electrónicos de alta potencia y alta temperatura. Los materiales basados en GaN también son ideales para la fabricación de detectores UV ciegos visibles y de alta respuesta debido…mehr

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Produktbeschreibung
Los semiconductores de III-nitruros, en concreto los materiales basados en GaN, incluido el GaN binario y las aleaciones relacionadas con InN y AlN, como el AlGaN ternario y el InGaN, así como el InAlGaN cuaternario, se han investigado intensamente en los últimos años debido a sus posibles aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos que funcionan en el rango espectral de longitudes de onda cortas y en dispositivos electrónicos de alta potencia y alta temperatura. Los materiales basados en GaN también son ideales para la fabricación de detectores UV ciegos visibles y de alta respuesta debido a las propiedades únicas que engloban la brecha de banda ancha y directa, los altos coeficientes de absorción y el corte agudo de la detección de longitud de onda. El alto voltaje de ruptura y la alta velocidad de saturación también permiten el uso de materiales basados en GaN para el funcionamiento de dispositivos de alta velocidad y aplicaciones de alta potencia, como amplificadores de potencia para estaciones base inalámbricas, amplificadores de bajo ruido e interruptores de alta potencia. Los dispositivos sensores son otra aplicación importante de los materiales basados en GaN, especialmente en entornos adversos debido a la gran estabilidad térmica y química de estos materiales.
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Autorenporträt
Dr. Mansour S. Farhan, Professor am College of Engineering/Wasit University. Dr. Hasan F. Khazaal, Assistenzprofessor am College of Engineering/Wasit University, hat Erfahrung in der Herstellung von Dünnschichten für optoelektronische Geräte. Er hat Erfahrung in der Herstellung und Abstimmung von Mikrowellenschaltungen und in der Bildungstechnologie.