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Este trabalho projetou um amplificador de potência Classe-E com rede de carga e um único transistor sem reatância excessiva em uma freqüência maior para resolver os problemas, como por exemplo: Dissipação de potência no dispositivo ativo, variação na tensão de alimentação e restrição de indutância usando o projeto do amplificador de banda estreita. O modelo do amplificador de potência Classe-E é projetado e apresentado neste trabalho de pesquisa. Ele é comprovadamente bem sucedido através de verificação no simulador de circuito multisimples. A derivação de uma expressão para obter a condição…mehr

Produktbeschreibung
Este trabalho projetou um amplificador de potência Classe-E com rede de carga e um único transistor sem reatância excessiva em uma freqüência maior para resolver os problemas, como por exemplo: Dissipação de potência no dispositivo ativo, variação na tensão de alimentação e restrição de indutância usando o projeto do amplificador de banda estreita. O modelo do amplificador de potência Classe-E é projetado e apresentado neste trabalho de pesquisa. Ele é comprovadamente bem sucedido através de verificação no simulador de circuito multisimples. A derivação de uma expressão para obter a condição de comutação ideal foi realizada a fim de provar que esta teoria está correta. O cálculo 100%, a simulação 98,42% e o projeto experimental 90,34% do amplificador de potência Classe-E com rede de carga e um único transistor foi realizado, a eficiência global foi alcançada, alimentado com 1,8V dc. O amplificador foi operado com uma frequência de banda de 4GHz e um ciclo de trabalho de 50% para um sinal senoidal estável. Portanto, pode-se concluir que o funcionamento ótimo só pode ser alcançado com uma resistência de carga ótima,R2= R1. em R2 = R1 a tensão de saída senoidal chegará quase ao máximo.
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Autorenporträt
Iam Nasiru Abubakar de la zona de Gwadangaji Kabawa Birnin kebbi, Estado de Kebbi, Nigeria. Y actualmente es profesor del departamento de física de la Universidad Federal de Electrónica Birnin Kebbi.