Produktbild: Development of a Six-Transistor Static Random-Access Memory Unit for Reduced Power Dissipation and Improved Characteristics in Sleep State

Kansha

Development of a Six-Transistor Static Random-Access Memory Unit for Reduced Power Dissipation and Improved Characteristics in Sleep State

- Englisch ausgewählt

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Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

07.01.2025

Verlag

Independent Publisher

Seitenzahl

128

Maße (L/B/H)

28/21,6/0,8 cm

Gewicht

343 g

Sprache

Englisch

EAN

9798230014270

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