Die Korrelation der optischen Eigenschaften von ZnO-Dünnschichten - Benramache, Said;Lakel, Said;Chabane, Foued
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In der vorliegenden Arbeit haben wir die optischen Eigenschaften von reinen und dotierten Zinkoxid-Dünnschichten als n-Typ-Halbleiter untersucht. Die dünnen Schichten wurden mit verschiedenen Vorläufermolaritäten durch Ultraschallsprüh- und Sprühpyrolyseverfahren sowie bei verschiedenen Substrattemperaturen abgeschieden, wobei das ZnO mit verschiedenen Dotierstoffen wie Al, In, Co, Ni, Sn, V, Fe, F, Sn dotiert wurde. In dieser Arbeit wurde das Augenmerk auf den derzeit neuen Ansatz zur Berechnung der optischen Lückenenergie und der Urbach-Energien gerichtet. Das vorgeschlagene Modell zur…mehr

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Produktbeschreibung
In der vorliegenden Arbeit haben wir die optischen Eigenschaften von reinen und dotierten Zinkoxid-Dünnschichten als n-Typ-Halbleiter untersucht. Die dünnen Schichten wurden mit verschiedenen Vorläufermolaritäten durch Ultraschallsprüh- und Sprühpyrolyseverfahren sowie bei verschiedenen Substrattemperaturen abgeschieden, wobei das ZnO mit verschiedenen Dotierstoffen wie Al, In, Co, Ni, Sn, V, Fe, F, Sn dotiert wurde. In dieser Arbeit wurde das Augenmerk auf den derzeit neuen Ansatz zur Berechnung der optischen Lückenenergie und der Urbach-Energien gerichtet. Das vorgeschlagene Modell zur Berechnung der Bandlücke oder der Urbach-Energien von undotierten und dotierten ZnO-Dünnschichten wurde untersucht. Die Beziehung zwischen den experimentellen Daten und der theoretischen Berechnung mit Vorläufermolaritäten deutet darauf hin, dass die Bandlücke oder die Urbach-Energien hauptsächlich durch die Bandlücke oder die Urbach-Energien und die Konzentration der ZnO-Lösung geschätzt werden.
Autorenporträt
O Dr. Said Benramache nasceu na Argélia em 1981, recebeu o seu grau de D.Sc. em física da universidade de Mohamed Khider Biskra (Argélia), e o grau HDR em educação física. Tem mais de 100 trabalhos de investigação em revistas de renome internacional. É também editor associado de duas revistas internacionais.