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È stata studiata l'affidabilità dei diodi ad emissione luminosa (LED) InGaN/GaN con diverse lunghezze d'onda di emissione e diverse geometrie. Sono state misurate le prestazioni dei dispositivi, come le caratteristiche corrente-tensione, lo spettro di rumore 1/f, le perdite, la resistenza statica. I dispositivi sono stati sottoposti a un test di stress a corrente costante per 1000 ore e il loro tasso di degradazione dell'uscita ottica è stato esaminato. I risultati sono stati spiegati da dati incrociati.

Produktbeschreibung
È stata studiata l'affidabilità dei diodi ad emissione luminosa (LED) InGaN/GaN con diverse lunghezze d'onda di emissione e diverse geometrie. Sono state misurate le prestazioni dei dispositivi, come le caratteristiche corrente-tensione, lo spettro di rumore 1/f, le perdite, la resistenza statica. I dispositivi sono stati sottoposti a un test di stress a corrente costante per 1000 ore e il loro tasso di degradazione dell'uscita ottica è stato esaminato. I risultati sono stati spiegati da dati incrociati.
Autorenporträt
Zonglin Li obtuvo el título de M.S.E. en 2009 por la Universidad de Hong Kong. Actualmente está trabajando para obtener el título de doctorado en ingeniería eléctrica en la Universidad de California en Riverside. Sus principales intereses son el proceso, la tecnología y la integración de dispositivos basados en nitruro de galio en la plataforma de silicio.