Diodo emisor de luz de GaN de alto rendimiento - Li, Zonglin
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Se estudió la fiabilidad de los diodos emisores de luz (LED) de InGaN/GaN con diferentes longitudes de onda de emisión y diferentes geometrías. Se midieron las prestaciones de los dispositivos, como las características de corriente-tensión, el espectro de ruido 1/f, las fugas y la resistencia estática. Los dispositivos se sometieron a una prueba de tensión de corriente constante durante 1000 horas y se examinó su tasa de degradación de la salida óptica. Los resultados se explicaron mediante datos cruzados.

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Produktbeschreibung
Se estudió la fiabilidad de los diodos emisores de luz (LED) de InGaN/GaN con diferentes longitudes de onda de emisión y diferentes geometrías. Se midieron las prestaciones de los dispositivos, como las características de corriente-tensión, el espectro de ruido 1/f, las fugas y la resistencia estática. Los dispositivos se sometieron a una prueba de tensión de corriente constante durante 1000 horas y se examinó su tasa de degradación de la salida óptica. Los resultados se explicaron mediante datos cruzados.
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Autorenporträt
Zonglin Li obtuvo el título de M.S.E. en 2009 por la Universidad de Hong Kong. Actualmente está trabajando para obtener el título de doctorado en ingeniería eléctrica en la Universidad de California en Riverside. Sus principales intereses son el proceso, la tecnología y la integración de dispositivos basados en nitruro de galio en la plataforma de silicio.