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Foi estudada a fiabilidade dos díodos emissores de luz (LEDs) InGaN/GaN com diferentes comprimentos de onda de emissão e diferentes geometrias. Foram medidos os desempenhos dos dispositivos, como características de tensão de corrente, espectro de ruído 1/f, fugas, resistência estática. Os dispositivos foram submetidos a um teste de tensão de corrente constante de 1000 horas e a sua taxa de degradação da saída óptica foi examinada. Os resultados foram explicados por dados relacionados com o cruzamento de dados.

Produktbeschreibung
Foi estudada a fiabilidade dos díodos emissores de luz (LEDs) InGaN/GaN com diferentes comprimentos de onda de emissão e diferentes geometrias. Foram medidos os desempenhos dos dispositivos, como características de tensão de corrente, espectro de ruído 1/f, fugas, resistência estática. Os dispositivos foram submetidos a um teste de tensão de corrente constante de 1000 horas e a sua taxa de degradação da saída óptica foi examinada. Os resultados foram explicados por dados relacionados com o cruzamento de dados.
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Autorenporträt
Zonglin Li obtuvo el título de M.S.E. en 2009 por la Universidad de Hong Kong. Actualmente está trabajando para obtener el título de doctorado en ingeniería eléctrica en la Universidad de California en Riverside. Sus principales intereses son el proceso, la tecnología y la integración de dispositivos basados en nitruro de galio en la plataforma de silicio.