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El objetivo principal de este artículo se centra en el desarrollo de interruptores MEMS de alto rendimiento y en el diseño de un desfasador miniaturizado de 5 bits. Una de las características únicas del conmutador propuesto es su forma triangular con características mejoradas, como baja tensión de actuación, alto aislamiento, baja pérdida de inserción, bajo factor de tensión y buena pérdida de retorno. El interruptor MEMS está diseñado en una configuración en serie con implementación de guía de onda coplanar (CPW). El diseño del nuevo conmutador triangular consiste en estudiar y comparar paso…mehr

Produktbeschreibung
El objetivo principal de este artículo se centra en el desarrollo de interruptores MEMS de alto rendimiento y en el diseño de un desfasador miniaturizado de 5 bits. Una de las características únicas del conmutador propuesto es su forma triangular con características mejoradas, como baja tensión de actuación, alto aislamiento, baja pérdida de inserción, bajo factor de tensión y buena pérdida de retorno. El interruptor MEMS está diseñado en una configuración en serie con implementación de guía de onda coplanar (CPW). El diseño del nuevo conmutador triangular consiste en estudiar y comparar paso a paso las características del conmutador rectangular, del triangular y del triangular de baja tensión propuesto para la RF, la mecánica y los desplazamientos de fase. El objetivo principal de este artículo se centra en el desarrollo de interruptores MEMS de alto rendimiento y en el diseño de un desfasador miniaturizado de 5 bits. Una de las características únicas del conmutador propuesto es su forma triangular con características mejoradas, como baja tensión de actuación, alto aislamiento, baja pérdida de inserción, bajo factor de tensión y buena pérdida de retorno. El interruptor MEMS está diseñado en una configuración en serie con implementación de guía de onda coplanar (CPW). El diseño del nuevo conmutador triangular consiste en estudiar y comparar paso a paso las características del conmutador rectangular, del triangular y del triangular de baja tensión propuesto para la RF, la mecánica y los desplazamientos de fase.
Autorenporträt
A Dra. Anitha G, que trabalha no Departamento de ISE do BIET, Davangere, publicou 10 artigos de investigação em revistas especializadas e os seus interesses de investigação incluem PNL, IAO Dr. Sunilkumar G tem mais de 15 anos de experiência de ensino e investigação, trabalha atualmente no Departamento de CSE, UVCE, Bengaluru, publicou mais de 35 artigos de investigação em revistas e conferências internacionais.