23,99 €
inkl. MwSt.

Versandfertig in 6-10 Tagen
  • Broschiertes Buch

V dannoj rabote byl izgotowlen organicheskij tonkoplenochnyj tranzistor (OTFT) so strukturoj nizhnij zatwor - nizhnij kontakt (BGBC) na stekle, s organicheskim diälektrikom i poluprowodnikom, dlq ispol'zowaniq ego w kachestwe gazowogo sensora dlq obnaruzheniq izoborneola (IB) w wode. V izuchennoj literature ne bylo najdeno ni odnogo BGBC OTFT, izgotowlennogo na steklqnnoj podlozhke s diälektrikom iz poli(4-winilfenola) (PVP) i poluprowodnikom iz poli(2,5-bis(3-tetradecil-tiofen-2-il)tieno[3,2-b]tiofena) (PBTT-C14) w kachestwe gazowogo sensora dlq obnaruzheniq IB. Soprqzhennye polimery, takie…mehr

Produktbeschreibung
V dannoj rabote byl izgotowlen organicheskij tonkoplenochnyj tranzistor (OTFT) so strukturoj nizhnij zatwor - nizhnij kontakt (BGBC) na stekle, s organicheskim diälektrikom i poluprowodnikom, dlq ispol'zowaniq ego w kachestwe gazowogo sensora dlq obnaruzheniq izoborneola (IB) w wode. V izuchennoj literature ne bylo najdeno ni odnogo BGBC OTFT, izgotowlennogo na steklqnnoj podlozhke s diälektrikom iz poli(4-winilfenola) (PVP) i poluprowodnikom iz poli(2,5-bis(3-tetradecil-tiofen-2-il)tieno[3,2-b]tiofena) (PBTT-C14) w kachestwe gazowogo sensora dlq obnaruzheniq IB. Soprqzhennye polimery, takie kak proizwodnoe politiofena PBTTT-C14, proqwlqüt poluprowodnikowye älektricheskie swojstwa. Blagodarq razmeram osnownoj cepi ätogo materiala, a takzhe kompaktnoj i organizowannoj ukladke ego w plenku, mozhno poluchit' struktury, izwestnye kak terrasy. Nalichie ätih struktur wlechet za soboj uluchshenie älektricheskih harakteristik ustrojstw, izgotowlennyh iz ätogo organicheskogo poluprowodnika. Rastwory sshitogo organicheskogo diälektrika PVP i organicheskogo poluprowodnika PBTTT-C14 byli naneseny metodom spinowogo pokrytiq. Sistema, ob#edinqüschaq äti datchiki, mozhet byt' polezna dlq monitoringa kachestwa wody w rezhime real'nogo wremeni.
Autorenporträt
Imeet stepen' po awtomatizacii (2008) i stepen' magistra (2011) w Gawane, Kuba. On imeet opyt raboty s processami mikroälektroniki, spinowym i lezwijnym osazhdeniem, tonkoplenochnymi organicheskimi tranzistorami (OTFTs), gazowymi datchikami i atomno-silowoj mikroskopiej. Poluchil doktorskuü stepen' (2021) w EPUSP u professora d-ra Fernando Zhozepetti Fonseka.