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Le silicium de type Czochralski (Cz-Si) dopé au bore est caractérisé par une forte contamination en oxygène. Il se forme, ainsi, au cours du refroidissement du lingot de silicium, une variété de défauts et des complexes d'oxygène actifs. Dans ce livre, nous identifiant par spectroscopie infrarouge les différents complexes liées à l'oxygène interstitiel ainsi que leurs effets sur les propriétés électriques avant traitement thermique et après recuit sous atmosphère contrôlée d'azote, pour une gamme de température comprise entre 450 °C et 800 °C. Nous testons, aussi, l'effet de l'histoire thermique sur la formation des complexes d'oxygène en adoptant le processus du recuit cumulatif multi-étapes.