Modelirowanie i optimizaciq äffektiwnosti preobrazowaniq änergii fotoälektricheskih älementow na osnowe poluprowodnikow, takih kak kremnij (Si) ili arsenid galliq (GaAs), qwlqetsq odnoj iz zadach i problem nauchnyh issledowanij. V dannoj knige priwoditsq analiticheskoe i chislennoe issledowanie fotoälektricheskogo älementa dlq rascheta plotnosti toka i ocenki äffektiwnosti preobrazowaniq änergii. Jeto issledowanie pozwolqet poluchit' dostup k razlichnym älektricheskim i fizicheskim parametram, harakterizuüschim qwlenie älektroprowodnosti, takim kak tok korotkogo zamykaniq, naprqzhenie otkrytogo zamykaniq, wremq zhizni minornyh nositelej, skorost' powerhnostnoj rekombinacii, legirowanie i t.d..