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Die Einbindung von Nanopartikeln in das bleifreie Lot, die Flugbahn der Nanopartikel während des Lötprozesses muss überwacht werden, da sie die Bildung der Kehlnahthöhe, der IMC-Schicht (inter-metallic compound) und die Bildung von Mikroporen beeinflusst. In der aktuellen Studie werden die Wechselwirkungen zwischen den Nanopartikeln und dem geschmolzenen Lot mit Hilfe der Volume-of-Fluid-Methode (VOF) und der Discrete-Phase-Methode (DPM) berücksichtigt. Bei den nano-verstärkten Partikeln, die in das SAC305-Lot eingebracht werden, handelt es sich um Titanoxid- (TiO2), Nickeloxid- (NiO) und…mehr

Produktbeschreibung
Die Einbindung von Nanopartikeln in das bleifreie Lot, die Flugbahn der Nanopartikel während des Lötprozesses muss überwacht werden, da sie die Bildung der Kehlnahthöhe, der IMC-Schicht (inter-metallic compound) und die Bildung von Mikroporen beeinflusst. In der aktuellen Studie werden die Wechselwirkungen zwischen den Nanopartikeln und dem geschmolzenen Lot mit Hilfe der Volume-of-Fluid-Methode (VOF) und der Discrete-Phase-Methode (DPM) berücksichtigt. Bei den nano-verstärkten Partikeln, die in das SAC305-Lot eingebracht werden, handelt es sich um Titanoxid- (TiO2), Nickeloxid- (NiO) und Eisen(III)-oxid- (Fe2O3)-Nanopartikel mit einem ungefähren Durchmesser von =20nm bei unterschiedlichen Gewichtsprozenten von 0,01, 0,05 und 0,15 Gew.-% für die Anwendung in ultrafeinen Kondensatoren vom Typ 01005. Es wurden sowohl experimentelle als auch Simulationsstudien durchgeführt, um die Gültigkeit der neuen DPM-basierten Simulation zu vergleichen. Die aus dem Experiment gewonnenen Ergebnisse können die Verteilung der Nanopartikel am Ende des Reflow-Prozesses effektiv visualisieren. Die DPM-Simulation hingegen ist in der Lage, die detaillierte Flugbahn der Nanopartikel während des thermischen Reflow-Prozesses SAC305 darzustellen.
Autorenporträt
Recibió un doctorado en Filosofía del Instituto de Microingeniería y Nanoelectrónica, UKM, Malasia. Ha trabajado durante 25 años en la tecnología de montaje superficial y ha sido un campeón con numerosos descubrimientos de causas fundamentales y análisis en aplicaciones electrónicas. Ha publicado más de 45 artículos de investigación (Science Direct, Emerald, Springer, Elsevier e IEEE).