V knige predstavlen novyj podhod dlya razrabotki fizicheskih modelej dvuh zatvornyh polevyh nanotranzistorov vypolnennyh na osnove tonkoplenochnoj tehnologii "kremnij na izolyatore", kotorye nahodyat svoe primenenie dlya resheniya shirokogo kruga zadach vysokoskorostnoj obrabotki informacii. Material knigi daet prekrasnuju illjustraciju vozmozhnostej peredovyh nanotranzistornyh tehnologij i delaet ochevidnym tot fakt, chto v sochetanii s metodami dinamicheskogo upravleniya pitaniem innovacionnye mikrojelektronnye ustrojstva pozvolyajut jeffektivno reshat' vazhnye prikladnye zadachi. Kniga orientirovana na shirokij krug specialistov v oblasti modelirovaniya i proektirovaniya integral'nyh mikroshem. Ona v polnoj mere otrazhaet ne tol'ko fizicheskie jeffekty, no i tehnologicheskie trudnosti, stoyashhie pri shemotehnicheskoj realizacii poluprovodnikovyh priborov, pojetomu ee material budet yavlyat'sya eshhe bolee cennym dlya chitatelya.