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Dans ce travail, nous présentons une étude expérimentale par photoluminescence sur des couches de GaAsN dopées au silicium. En premier lieu, nous donnerons une description de la structure cristalline, de la structure de bandes des matériaux III-V (en particulier de GaAs), ainsi que des propriétés optiques et des conditions d interaction rayonnement-semiconducteur. Ensuite, une étude théorique sera dédiée au modèle d anticroisement de bandes (BAC) qui permet une meilleure interpretation des observations expérimentales inhabituelles (diminution de l énergie de la bande interdite, augmentation de la masse effective et paramètre de courbure géant) suite à l incorporation de l azote dans la matrice de GaAs. Enfin, nous aborderons l étude de l'effet du dopage sur les couches de GaAsN ainsi que l'analyse des résultats expérimentaux par photoluminescence.