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Dans ce travail nous nous sommes intéressés à la croissance et la diffusion superficielle de l'Aluminium sur un substrat de Silicium (400). Ce travail comporte deux parties : La première partie consiste à réaliser sous-vide et à température ambiante des dépôts de différentes épaisseurs d = 240, 510, 720, 870 et 1050 A°. Ces dépôts ont été analysés quantitativement par DRX. L'Aluminium semble croisse sur le silicium selon le mode de Frank-van Der Merwe. La deuxième partie de notre travail est consacrée à l'étude de l'effet de la température de recuit sur la morphologie des dépôts réalisés à température ambiante. Les températures de recuits sont : 100,150, 200, 250, 300, 350 et 400C°. D'après les résultats d'analyse par DRX des dépôts traités, les îlots (2D) d'Aluminium formés à température ambiante se transforment en augmentant la température de recuit, en îlots (3D) plus hauts et plus ramenés.