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Bei der Chemisorption von Atomen und Molekülen an Oberflächen wird Energie an das Substrat abgegeben. Es zeigt sich, dass auch bei Halbleiteroberflächen zusätzlich zur Anregung von Gitterschwingungen nicht-adiabatische Effekte jenseits der Born-Oppenheimer-Näherung zur Energiedissipation beitragen. Dies wird hier am Beispiel der Reaktion von atomarem Wasserstoff an einer Si(100)-Oberfläche demonstriert, eingesetzt werden Computersimulationen basierend auf der zeitabhängigen Dichtefunktionaltheorie.