Engenharia de Defeitos em Semicondutores de gap Largo - S. de Herval, Leonilson K.;F. de Godoy, Marcio P.
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Os defeitos em semicondutores acarretam mudanças nas propriedades físicas do material, tendo uma grande importância nos semicondutores que possuem alta energia de gap devido à possibilidade de aplicação em alta temperatura. No presente trabalho, estudamos as características atribuídas à presença de defeitos em diferentes semicondutores de gap largo, crescidos/sintetizados por reação de estado sólido, método de Pechini e epitaxia de feixes moleculares. Este trabalho evidencia a importância da engenharia de defeitos em semicondutores de gap largo para o aperfeiçoamento de tecnologias ligadas à área de optoeletrônica e spintrônica.…mehr

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Produktbeschreibung
Os defeitos em semicondutores acarretam mudanças nas propriedades físicas do material, tendo uma grande importância nos semicondutores que possuem alta energia de gap devido à possibilidade de aplicação em alta temperatura. No presente trabalho, estudamos as características atribuídas à presença de defeitos em diferentes semicondutores de gap largo, crescidos/sintetizados por reação de estado sólido, método de Pechini e epitaxia de feixes moleculares. Este trabalho evidencia a importância da engenharia de defeitos em semicondutores de gap largo para o aperfeiçoamento de tecnologias ligadas à área de optoeletrônica e spintrônica.
Autorenporträt
Leonilson K. S. Herval é Bacharel em Física Biológica, Mestre em Física e Doutor em Física da Matéria Condensada. Atualmente (2017) é professor adjunto da Universidade Federal de Lavras, onde desenvolve pesquisas relacionadas a síntese e caracterização de óxidos semicondutores e compósitos de polímeros/óxidos.